闪存芯片革新时代：SK海力士、美光官宣突破200层限制

日前，美光表示将开始出货其最先进的NAND闪存芯片，它也是第一家正式宣布将NAND芯片扩展到200层以上的公司周三，韩国SK海力士也宣布开发了一种超过200层的闪存芯片

广美的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其前身的176层芯片快50%，封装尺寸将比前几代产品小28%该芯片将主要针对人工智能和机器学习等以数据为中心的领域，并满足其低延迟和高吞吐量的要求

韩国SK海力士公司今天也宣布，已经开发出超过200层的NAND闪存芯片这种芯片由238层存储单元组成，比美光最新的芯片多了6层

SK海力士表示，238层芯片是最小的NAND闪存芯片与上一代相比，数据传输速度和功率提高了50%，读取数据的能耗也降低了21%

SK海力士最新芯片将于2023年上半年开始量产，美光表示，将于2022年底开始量产232层NAND。

层数越高越好

闪存几乎用于所有主要的电子终端，如智能手机，电脑和USB驱动器闪存在市场上不受欢迎的两个重要因素是成本和存储密度

自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术以来，芯片层的竞争一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的焦点。

与CPU和GPU仍在竞相提高晶体管密度，用更尖端的技术大幅提升芯片性能不同，在NAND市场，目前，增加层数是大幅提高存储密度的关键所以NAND闪存从最初的24层上升到现在的200层

不过也有专家表示，在闪存芯片领域，每个厂商都有自己的技术架构和演进路线图，并不完全一致，每个厂商都有自己的技术工艺特点在底层，3D堆栈确实可以显著提升闪存的性能，但伴随着层数的增加，性能提升也会遇到瓶颈，需要在技术，成本和性能之间找到平衡点总的来说，层数不是闪存技术的绝对领先者，而是综合性价比

Mei 232 NAND采用类似三星第七代闪存的双栈技术把232层分成两部分，每部分116层，从一个又深又窄的洞口叠起来通过蚀刻导体和绝缘体的交替层，用材料填充孔，并处理以形成位存储部分，制造出成品芯片

蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔成为增加NAND闪存的层数的技术障碍。

200层楼的野心

目前大部分闪存芯片还在生产100+层的芯片，但是很多厂商已经跃跃欲试200层的生产工艺。

早在2019年，SK海力士就做了一个大胆的设想，在2025年推出500层的堆叠产品，2032年实现800层以上。

今年早些时候，美国西部数据及其合作伙伴日本驰夏表示，将很快推出超过200层的BiCS+存储芯片，计划于2024年正式上市。

参与层竞争的三星电子也被曝将于今年年底推出超过200层的第八代NAND闪存业界预测可以达到224层，传输速度和生产效率提升30%

中国闪存后起之秀mdashmdash据媒体透露，长江存储今年也将从128层突破到232层，年底实现量产不过，长江存储并未对此做出回应

在目前全球闪存格局中，三星电子虽然是技术的缔造者，过去也一直引领市场发展，但在200层以上的竞争中，略落后于美光和SK海力士这两家公司虽然进入市场较晚，但技术进化势头凶猛，可能会保持技术领先地位

未来，据欧洲知名半导体研究机构IMEC预测，1000层NAND闪存并不遥远，或将在10年内出现层数之争依然是NAND闪存的主旋律，就看角落里能不能有人超车了

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